ale myslel jsem, ze hot-electron-injection neni kvantove tunelovani (ve smyslu ze by elektrony prekonavaly potencial na ktery nemaji energii). To `hot' podle me znamena ze maji dostatecnou rychlost proletet izolatorem i v klasicke fyzice.
Tunelovani je myslim potreba pri mazani NOR-FLASH, kdy po pripojeni vhodneho napeti na drain a gate je elektrickym polem elektronum uveznenym v plovoucim hradle naznaceno ze se maji shromazdit v jeho pravem dolnim rohu odkud jsou pomoci tunelovani vysavany do drainu. Funguje to tak, ze elektrony nahromadivsi-se na okraji hradla zpusobni znacne elektricke pole v izolantu mezi okrajem hradla a drainem cimz vyrazne (exponencialne) vzroste pravdepodobnost ze elektron protuneluje (aniz by se izolator prorazil). Ta exponenciala v soucinosti s rozdelenim naboje pri normalni cinnosti a mazani vysvetluji proc je tak velky rozdil mezi casem mazani FLASH (radove desitky milisekund) a dobou udrzeni dat (cca deset let).
Pekny clanek, diky.
PS: na obrazku 13 jste chtel napsat EPROM misto DRAM.
No možná se seknu, ale domnívám se, že elektron nemůže "proletět" dokonalým izolantem jinak, než tunelováním nebo průrazem. Zde nemůže docházet k nějaké "emisi" elektronu do izolantu, zkrátka protože tam jsou ostatní atomy, které tomu pohybu elektronu brání a odpuzují ho. Jiná věc je, když se elektron emituje do vakua, pak se může pohybovat dál. Klasickým příkladem je elektronka.
No, ony hlavne (E)EPROM pameti zpravidla nepouzivaji horke elektrony, ale Fowler Nordheim (FN) tunelovani, ktere je dusledkem napeti mezi oblasi kanalu a plovouciho hradla. Pri programovani netece pametovou bunkou temer zadny proud.
Tunelovani horkych elektronu pouzivaji az pameti flash. Ty pouzivaji pro zapis horke elektrony a pro mazani FN tunelovani. EEPROM pouzivaji FN tunelovani zpravidla v obou smerech (pro mazani se privede na bunku napeti v opacne polarite oproti zapisu).
U nekterych MOSFET tranzistoru je source zapojeny i na substrat, ve vysledku to (ted si nejsem jisty) vede k tomu, ze je mezi source a drain jakoby zapojena dioda, takze se ty elektrody skutecne odlisuji.
Ale u JFET jsou tusim zamenitelne, aspon ja jsem mezi tim nikdy nevidel zadne rozdily.
Pozn: na rozdil od bipolarnich tranzistoru, ktere se sice kresli jako struktura tri P-N-P/N-P-N polovodicu, ve skutecnosti vsak neni mozne emitor a kolektor otocit - jak z hlediska geometrie cele struktury, tak i "hustotou" dotace polovodicu akceptory nebo donory.
Nerad bych se mýlil, ale pokud si dobře vzpomínám, u struktury tranzistoru s vodivým kanálem by měl být ten kanál nakreslen, tedy "tunýlek" (u obr. 3 s červenými tečkami) pod gate propojující oblasti S a D.
To, co je na obrázcích 3 a 13 jsou MOSy s indukovaným kanálem, které při nulovém napětí na gate nevedou.
O to prave jde, aby pri nulovem napeti na gatu nevedly. Dokonce to je tak ze az do urciteho prahu nevedou, proto CMOS hradla maji maly klidovy porud.
Ten `tunylek' maji depletion-mode FETy, kde se elektricke pole gatu pouziva ke zuzovani oblasti ve ktere muze tect proud (podobne jako u JFETu). Vedou i pri nulovem napeti gatu, ale je tezsi je uplne zavrit takze se pro digitalni obvody s malou spotrebou moc nehodi. Myslim ze maji nejake vyhody pro analogove VF obvody.
pokut vim tak se v cartridge (pro herni konzple) pouzilali ROM pameti protoze byli levnejsi nez PROM ci EPROM a tim padem se nema co v ROM smazat jedine ze se cip starim rozpadne apropo ve vetsine domacich pocitacu jak 8/16 mozna i 32 bitovich je zakladni proram "monitor" ulozen tez v ROM. nap na fotce PMD-85 je v horni rade pameti jedna ktera je cela cerna a nejedna se o OPT EPROM jak je dnes bezne a PROM konkretne MHB8608
v clanku mi chybi aspon okrajova zminka o ROM a PROM pametech jinak jde a soubor zajimavich clanku
omluvte mou cestinu je priserna a pokut budete chnit neco nekomentovat tak vse krom te cestiny