Názor k článku Polovodičová technologie používaná u mainframů (II) od klusacek - ale myslel jsem, ze hot-electron-injection neni kvantove tunelovani...

ale myslel jsem, ze hot-electron-injection neni kvantove tunelovani (ve smyslu ze by elektrony prekonavaly potencial na ktery nemaji energii). To `hot' podle me znamena ze maji dostatecnou rychlost proletet izolatorem i v klasicke fyzice.

Tunelovani je myslim potreba pri mazani NOR-FLASH, kdy po pripojeni vhodneho napeti na drain a gate je elektrickym polem elektronum uveznenym v plovoucim hradle naznaceno ze se maji shromazdit v jeho pravem dolnim rohu odkud jsou pomoci tunelovani vysavany do drainu. Funguje to tak, ze elektrony nahromadivsi-se na okraji hradla zpusobni znacne elektricke pole v izolantu mezi okrajem hradla a drainem cimz vyrazne (exponencialne) vzroste pravdepodobnost ze elektron protuneluje (aniz by se izolator prorazil). Ta exponenciala v soucinosti s rozdelenim naboje pri normalni cinnosti a mazani vysvetluji proc je tak velky rozdil mezi casem mazani FLASH (radove desitky milisekund) a dobou udrzeni dat (cca deset let).

Pekny clanek, diky.

PS: na obrazku 13 jste chtel napsat EPROM misto DRAM.