Názor ke zprávičce Huawei přesouvá 14nm výrobu od TSMC k čínské SMIC od MSBOSS - Problém je v tom, že to není tak...

Problém je v tom, že to není tak jednoduchý. Jakmile od EUV přeskočíš na rentgenovou litografii, tak je problém s tím, že sice rentgenové záření má krátkou vlnovou délku, jenže už je ionizující. To má ten důsledek, že když rentgenem prosvítíš litografickou masku, tak sice to záření dopadne tam, kam má, ale zároveň začne nabíjet substrát, na který dopadá. To vede k tomu, že se motiv rozplizne a navíc to jde i do hloubky, takže se může nakrásně stát, že v izolačním oxidu (jak na hradlech, tak obecně) vznikne gradient pole a tranzistory sice budou vypadat jak mají, ale nebudou tranzistorovat, protože budou potřebovat třeba 20V, aby se vyply/zaply (záleží na orientaci gradientu), což je o řád výš, než je průrazné napětí na těchhle vleikostech.

tldr; Rentgenová litografie má jiné zákonitosti než EUV a postupy používané pro přípravu masky i metoda vyvolávání se liší. Přechod není otázkou výměny jedné lampy za druhou.

Zkuste se podívat, jak je složitá optika v současných EUV jednotkách. Na rentgenu to bude ještě větší prů... průduch. Ona totiž ta vyvolávací maska není 1:1, jde o klasický zmenšovák (něco jako zvětšovák na fotky, ale naruby) a k tomu je potřeba zmenšovací optika. Na EUV se to dělá pomocí zrcadel. Jak se to dělá s rentgenem, to netuším. Hádám, že by to šlo magnetickými čočkami, ale tam je otázka opakovatelnosti, stability a zkreslení...