Názor k článku
Samsung ohlásil průlom ve výrobě 3nm obvodů od K> - Ono to neni z te zpravicky uplne jasne,...

Ono to neni z te zpravicky uplne jasne, ale pri kouknuti na zdroj a obrazek uz jo.
Stavajici proces GAAFET s nanodratky: mezi elektrodou a branou je pomelne mala stycna plocha protoze nanodratky, proto je potreba tech nanodratku nad sebe nastrkat hodne. Novy proces MBCFET misto nanodratku pouzije "nanoplatky", takze stycna plocha je vetsi a dovoli vetsi proud pri stejnem poctu nad sebou jako u nanodratku. Navic Samsung pise ze se snaz optimalizuje proces protoze muzou delat ruznou sirku "nanoplatku".

Ve vysledku mam spis pocit ze to neni revoluce (jak tvrdi PR, samozrejme), ale evoluce. I kdyz bezpochyby vymyslet a vychytat proces byla obtizna prace.