Názor ke zprávičce Samsung posouvá NAND flash technologii na 160 vrstvev v čipu od incorporated - "zadarmo" je těch 25 % pouze teoreticky. V...

"zadarmo" je těch 25 % pouze teoreticky. V praxi je potřeba stále více bitů věnovat ECC nebo rezervám pro wear, protože reálně není možné udělat ten analog aby fungoval stejně dobře při dvojnásobném počtu úroví.