Šéf SK Hynixu Seok-Hee Lee před týdnem v prezentaci v rámci IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) nastínil vývoj na poli paměťových čipů v nadcházejících letech. Momentálně společnost vyrábí vrstvené NAND flash čipy, které v jednom pouzdře nesou 172 dílčích vrstev. To však není konečná. Už současná technologie vrstvení má další velký potenciál a SK Hynix očekává, že než narazí na nějaký technologický limit, dojde k číslu ~500 vrstev v čipu. Poté ve vzdálenější budoucnosti firma očekává, že se podaří limit posunout až k 600 vrstvám.
Ladí se mimo jiné struktury paměťových buněk, aby lépe uchovávaly elektrický náboj i při zmenšujících se rozměrech (SK Hynix používá vlastní technologii atomic layer deposition, ALD). Dále je nutné stále více sil soustředit na prostý mechanický stres vrstev v čipu (optimalizací použitých materiálů) a samozřejmě také interferenci mezi jednotlivými vrstvami čipu a související ztrátu náboje (což zase řeší struktura zvaná isolated-charge trap nitride, isolated-CTN).
V tuto chvíli již máme na trhu až 8TB M.2 2280 SSD s QLC čipy. Pokud by použité čipy mohly nést dvoj- až trojnásobek vrstev, lze očekávat, že kapacita může růst někam do rozmezí 16 až 24 TB pro QLC M.2 SSD, případně do zhruba polovičních kapacit pro TLC SSD. Na zdokonalování vrstvených čipů neustále pracují všichni velcí výrobci, vedle SK Hynixu i Micron, Samsung či Toshiba/WD(SanDisk).
ČLÁNKY DO MAILU