Názor k článku
Velmi úsporná paměť RAM od Petr M - Víte, jaký je rozdíl mezi markeťákem a technikem?...

Víte, jaký je rozdíl mezi markeťákem a technikem? Markeťák při čtení takové zprávy tleská oběma rukama o sebe, technik jednou rukou o čelo.

1) Křemík nezvítězil proto, že je nejlepší z pohledu parametrů čipu. Zvítězil proto, že se dá snadno zpracovávat s velkou výtěžností. Přece jenom vyrobit superčistý monokrystal jednoho prvku je mnohem jednodušší, než pravidelně skládat atomy jenoho prvku mezi atomy druhýho. Masky a izolace tvořený prostou oxidací,... Si rulezz. Pokud akademik zkusí vyrobit 200 čipů a pět jich funguje, tak je jeho teorie správná a chce to "jenom dopilovat výrobní technologii". V praxi se s tím ale nepotkáme, dokud větší akumulátor bude levnější než šílená výrobní technologie s výtěžností v jednotkách procent.
2) Napětí 2.6V neznamená úsporu. Energie E [J] = U*I*T, kde U je napětí [V], I je proud [A] a T je doba zapnutí [s]. Napětí Když vynechám čas, dostanu výkon P[W] = U*I. Takže napětí je jenom část rovnice. Proud nespecifikovali, protože patrně nesedí do PR.
3) Nějak jsem mezi řádky vyčetl fakt, že je to unipolární technologie. Tam je I = a * f + b, kde a je koeficient proudu, související s frekvencí a b je klidový odběr při nulové frekvenci. Jenže pracovní frekvenci čipu taky raděj neuvedli.
4) Jde o DRAM. Takže, zjednodušeně, o matici kondíků. Doba, jakou kondík udrží náboj, je přímo úměrná jeho kapacitě a nepřímo úměrná ztrátám. Větší kapacita = větší plocha kondíků + větší proud na nabíjení. Takže to asi jenom líp izolovali. Nebo "zatím" udělali menší kapacitu s tím že "to chce jenom trochu doladit kapacitu paměti".
5) 2.6V je nestandard. Není to 5V (původní DRAM řady 41xx), 3.3V (SDRAM), 2.5V (Mobile SDRAM + DDR SDRAM), 1.8V (Mobile DDR, DDR2,...) a je poměrně vysoký na dnešní dobu. V mobilu jedou paměti běžně pod 1.25V. To jejich "úsporných 2.6V" je prostě kravina a jenom to zvyšuje náboj, který se musí ukládat (= brzdí a při přepisu víc žere).
6) Nevyvinuli "univerzální paměť". Nedá se udělat univerzální ultra rychá L1 cache, rychlá L2 cache, velká operační RAM, obrovská extrní paměť (SSD, HDD), non-volatilní paměť s bootloaderem/biosem (NOR FLASH), non-volatilní paměť s konfigurací systému (FRAM, EEPROM, zálohovaná CMOS SRAM), konfigurační paměť pro FPGA nebo mikrokód a ještě search engine v jedné technologii.