Já jsem přesvědčen, že tomu tak není a že se musí udělat několik vrstev z různých materiálů, případně s tlustými taženými přechody (postupná změna složení). Nejsem ale odborník na toto téma, a tedy se raději za zvuku vypínajícího se počítače (představte si, jak dobíhá starý 12 GB 3.5" HDD ještě bez fluidních ložisek) z této diskuze odporoučím.
Pro zájemce třeba tento článek (sorryjako, na SciHubu jsem ho nenašel):
https://www.researchgate.net/publication/231139336_GaAs_epitaxy_on_Si_substrates_Modern_status_of_research_and_engineering